用于最小化闪存存储器NAND串中编程干扰的方法

摘要

本发明涉及一种用于最小化闪烁存储器中编程干扰的方法。为了降低不期望从擦除状态进行编程的与非闪烁存储器单元串中的编程干扰，使用局部提升的沟道禁止方案。在该局部提升的沟道禁止方案中，不期望编程的与非串中的所选择的存储器单元和与非串中的其他单元去耦。这使得去耦的单元的沟道被局部提升到在对应字线上升到编程电压时足以禁止F-N隧穿的电压电平。由于高提升效率，应用到与非串中的剩余存储器单元的栅极的传递电压可以相对于现有技术方案下降，从而在允许随机页面编程时最小化编程干扰。