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目录
第一章 绪 论
1.1 NAND闪存的发展历史
1.2 NAND闪存卡的种类
1.3 研究改善NAND闪存写入(编程)干扰的重要性和意义
1.4 NAND闪存写入(编程)干扰改善研究工作内容与创新点
第二章 闪存的基本结构
2.1 闪存的基本结构介绍
2.2 NAND闪存存储单元介绍
2.3 NAND闪存的存储单元分类
2.4 本章小结
第三章 NAND闪存存储原理
3.1 NAND闪存存储原理介绍
3.2 NAND闪存存储单元读写擦操作
3.3 本章小结
第四章 NAND闪存常见问题
4.1 NAND闪存的基本架构介绍
4.2 NAND闪存的读取干扰
4.3 NAND闪存的写入(编程)干扰
4.4 NAND闪存的数据保存期限
4.5 NAND闪存的坏块类型
4.6 NAND闪存的擦写次数限制
4.7 本章小结
第五章 NAND闪存写入(编程)干扰种类
5.1 VPASS电压过高引起的写入(编程)干扰
5.2 VPASS电压过低引起的写入(编程)干扰
5.3 过量写入引起的写入(编程)干扰
5.4 YUPIN耦合效应引起的写入(编程)干扰
5.5 本章小结
第六章 NAND闪存写入(编程)干扰改善方法
6.1 确定VPASS电压值范围改善写入(编程)干扰
6.2改善位线与位线之间YUPIN效应引起的写入(编程)干扰
6.3改善字线与字线之间YUPIN效应引起的写入(编程)干扰
6.4 解析测试过程中写入(编程)干扰实例
6.5 本章小结
第七章 总结与展望
参考文献
致谢