公开/公告号CN102437028B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-04-16
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201110388784.6
发明设计人 曹永峰;
申请日2011-11-30
分类号H01L21/265(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/8238(20060101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人陆花
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
入库时间 2022-08-23 09:18:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-16
授权
授权
2012-06-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20111130
实质审查的生效
2012-05-02
公开
公开
机译: 具有具有源/漏区的PMOS器件的半导体器件,该PMOS器件采用重原子P型注入制成,并且其制造方法
机译: 具有使用重原子p型注入形成的具有源/漏区的PMOS器件的半导体器件及其制造方法
机译: 使用减少数量的掩模步骤来形成亚微米CMOS器件的源漏区,以形成用于PMOS的轻度p掺杂漏区和用于NMOS的晕圈区