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掺杂外延层的掺杂杂质浓度的监控方法

摘要

本发明提出了一种外延层掺杂杂质浓度的监控方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成外延结构,所述外延结构至少包括掺杂外延层;在所述外延结构上形成保护层;提供不同掺杂杂质浓度的标准外延层的折射率标准曲线和吸光率标准曲线,所述标准外延层的厚度与所述掺杂外延层的厚度相同;获得所述掺杂外延层的折射率曲线和吸光率曲线;将所述折射率曲线和吸光率曲线分别与所述折射率标准曲线和吸光率标准曲线比对,与所述折射率曲线和吸光率曲线匹配的折射率标准曲线和吸光率标准曲线对应的掺杂杂质浓度作为所述掺杂外延层的掺杂杂质的浓度。本发明提高了外延层沉积工艺的稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN102479730B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-04-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201010565093.4

  • 发明设计人 何有丰;胡亚兰;

    申请日2010-11-29

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人骆苏华

  • 地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:18:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-02

    授权

    授权

  • 2012-07-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20101129

    实质审查的生效

  • 2012-05-30

    公开

    公开

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