公开/公告号CN102479730B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;
申请/专利号CN201010565093.4
申请日2010-11-29
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人骆苏华
地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
入库时间 2022-08-23 09:18:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-02
授权
授权
2012-07-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20101129
实质审查的生效
2012-05-30
公开
公开
机译: 半导体衬底具有轻掺杂的衬底,在重掺杂的扩散层的上侧上方的外延层并且杂质浓度低于扩散层
机译: 在具有高杂质浓度的选择性掺杂的硅衬底上制备外延层的方法
机译: 在具有高杂质浓度的选择性掺杂的硅衬底上制备外延层的方法