首页> 外文期刊>Металлофизика и новейшие технологии >Physical-Technological Principles of an optimum Doping of Monocrystals of Refrac- tory Metals. II Modifications of a Character of a Dislocation Structure of Metal Monocrystals Containing Impurities with Concentration of the Dope Components
【24h】

Physical-Technological Principles of an optimum Doping of Monocrystals of Refrac- tory Metals. II Modifications of a Character of a Dislocation Structure of Metal Monocrystals Containing Impurities with Concentration of the Dope Components

机译:稀土金属单晶最佳掺杂的物理技术原理。含杂质浓度较高的掺杂杂质的金属单晶的位错结构特征的Ⅱ型修饰

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号