一种SiC单晶金属杂质的均匀掺杂的方法

摘要

本发明涉及一种SiC单晶金属杂质的均匀掺杂的方法，属于晶体生长技术领域，方法包括将SiC粉料和待掺杂材料均匀混合后，利用恒温区高温常压加热形成均匀掺杂金属的多晶SiC块体，将SiC多晶块切割为小体积立方块，再与SiC粉料均匀混合，放入PVT生长用石墨坩埚中进行单晶生长，按常规单晶生长方法即获得既定掺杂浓度的均匀掺杂金属杂质的SiC，SiC多晶块中金属杂质在PVT生长中会随着SiC的分解逐步均匀释放，从而达到均匀掺杂的目的，本方法对SiC单晶设备要求低，无需改造，不引入其他杂质且重复性高。