公开/公告号CN102376552B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-03-12
原文格式PDF
申请/专利号CN201010261589.2
申请日2010-08-24
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 100176 北京经济技术开发区文昌大道18号
入库时间 2022-08-23 09:17:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-03-12
授权
授权
2013-07-10
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/265 变更前: 变更后: 登记生效日:20130614 申请日:20100824
专利申请权、专利权的转移
2012-04-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20100824
实质审查的生效
2012-03-14
公开
公开
机译: 能够防止在用于稳定位线接触的附加离子注入工艺期间防止层间绝缘层损坏的半导体器件的形成方法
机译: 防止与等离子体有关的工艺中的半导体晶片的栅极氧化物的损坏的方法
机译: 在反应性离子蚀刻系统中蚀刻氧化硅膜以防止栅极氧化物损坏的方法