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一种离子注入工艺中防止栅极损坏的方法

摘要

本发明提供一种离子注入工艺中防止栅极损坏的方法,所述离子注入工艺包括形成光刻胶步骤、离子注入步骤、等离子体去除光刻胶步骤,在所述离子注入步骤和等离子去除光刻胶步骤之间还包括表面处理步骤,所述表面处理步骤包括:冲洗步骤;烘烤步骤;冷却步骤。本发明中所述离子注入工艺中防止栅极损坏的方法在所述离子注入步骤和等离子去除光刻胶步骤之间增加表面处理步骤,去除所述离子注入步骤中光刻胶表面形成的硬质表层和光刻胶内部形成的所述聚合物,进而避免了在等等离子体去除光刻胶步骤中,发生等离子体与所述聚合物相互作用产生爆炸,进而避免损伤栅极的情况发生,提高了器件的质量。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-03-12

    授权

    授权

  • 2013-07-10

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/265 变更前: 变更后: 登记生效日:20130614 申请日:20100824

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-04-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20100824

    实质审查的生效

  • 2012-03-14

    公开

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