公开/公告号CN102073221B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-11-06
原文格式PDF
申请/专利权人 ASML控股股份有限公司;
申请/专利号CN201110022569.4
发明设计人 哈里·休厄尔;路易斯·约翰·马克亚;
申请日2008-02-14
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人王波波
地址 荷兰维德霍温
入库时间 2022-08-23 09:16:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-29
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/20 授权公告日:20131106 终止日期:20160214 申请日:20080214
专利权的终止
2013-11-06
授权
授权
2011-07-06
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20080214
实质审查的生效
2011-05-25
公开
公开
机译: 用于在浸没式光刻中原位清洁透镜的系统和方法,该系统和方法用于使用高折射率浸入液操作的浸没式光刻系统中
机译: 用于浸没式光刻的晶片扫描仪中的折反射投影透镜,具有带有浸没透镜组的折射物镜部分,该浸没透镜组由折射率大于特定值的光学高折射率材料制成
机译: 用于浸没式光刻系统的清洁溶液以及使用该清洁剂的浸没式光刻工艺