用于半导体制备中的表面平坦化的方法

摘要

本发明公开了一种用于半导体制备中的表面平坦化的方法，为在衬底上淀积需要图形化的材料之后，包括如下步骤：将抗反射材料淀积在需要图形化的材料上；采用光刻工艺定义出图形，并刻蚀抗反射材料和需要图形化的材料，形成图形；接着旋涂负性光刻胶，至覆盖台阶；进行直接曝光并显影，去除所述抗反射材料上的负性光刻胶；而后采用有机填充材料进行填充，形成平坦化表面。本发明的方法，特别适用于较高区域面积较小的衬底的平坦化。