一种半导体表面平坦化的方法及制得的半导体和用途

摘要

本发明提供一种半导体表面平坦化的方法，所述方法包括：在半导体至少两层互连结构的第n段制造工艺中，覆盖第n段初始介质层后，所述第n段初始介质层先经厚度方向上的平坦化处理，得到第n段介质层，再进行后续工序；所述第n段初始介质层的厚度大于第n段介质层的厚度，n≥2。所述方法克服了至少两层互连结构中前段制造工艺产生的蝶形凹陷在后段工艺叠加的影响，使蝶形大小得到了有效控制。