I线光刻机用双次光刻法实现0.18μm线宽图形的方法

摘要

本发明涉及一种I线光刻机用双次光刻法实现0.18μm线宽图形的方法，其包括如下步骤：a、第一次光刻：涂覆光刻胶，利用I线光刻机对上述光刻胶进行光刻；b、第一次腐蚀：腐蚀去除上述衬底上的多晶硅；c、第二次光刻套准：在衬底的表面涂覆光刻胶，且在多晶硅对应于与光刻胶相接触一侧表面涂覆掩蔽定位光刻胶，所述掩蔽定位光刻胶与多晶硅一侧的光刻胶连接成一体；利用I线光刻机套刻偏移量来修正使得掩蔽定位光刻胶的宽度为0.18μm；d、第二次腐蚀：腐蚀去除上述衬底上光刻后的多晶硅，得到掩蔽定位光刻胶下方宽度为0.18μm的多晶硅图形。本发明工艺步骤简单方便，利用I线光刻胶得到0.18μm线宽图形，能适用科研开发需要，降低开发成本，安全可靠。