法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 授权公告日:20130619 终止日期:20180919 申请日:20080919
专利权的终止
2016-10-12
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/02 登记生效日:20160918 变更前: 变更后: 申请日:20080919
专利申请权、专利权的转移
2016-10-12
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/02 变更前: 变更后: 申请日:20080919
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-10-12
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更前: 变更后: 申请日:20080919
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-10-12
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20160918 变更前: 变更后: 申请日:20080919
专利申请权、专利权的转移
2015-07-01
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/02 变更前: 变更后: 申请日:20080919
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2015-07-01
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更前: 变更后: 申请日:20080919
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2013-06-19
授权
授权
2013-06-19
授权
授权
2011-11-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20080919
实质审查的生效
2011-11-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20080919
实质审查的生效
2011-09-28
公开
公开
2011-09-28
公开
公开
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机译： 电磁辐射引起的硅形态或同素异形体变化，用于集成电路的电阻调谐
机译： 电磁辐射引起的硅的同素异形或形态变化，用于集成电路的电阻调整
机译： 电磁辐射引起的硅的同素异形或形态变化，用于集成电路的电阻调整
