HVMOS及集成HVMOS与CMOS的半导体器件

摘要

本发明提供一种HVMOS及集成HVMOS与CMOS的半导体器件，该HVMOS包括衬底、沟道、栅极、源/漏极，该源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨着该沟道的轻掺杂区和一紧挨着该轻掺杂区的重掺杂区；另一源/漏极，该另一源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨着该沟道的另一轻掺杂区和一紧挨着该另一轻掺杂区的重掺杂区；一与所述源/漏极掺杂类型相反的反向掺杂阱，该反向掺杂阱包含所述源/漏极；一与所述源/漏极掺杂类型相反的另一反向掺杂阱，该另一反向掺杂阱位于所述另一源/漏极的另一轻掺杂区和所述反向掺杂阱之间。本HVMOS充分利用CMOS已有的工艺，大大减化掩膜层数，具有导通电阻小，寄生电容低，开关速度快，开关频率高，成本低等优点。