首页> 外文OA文献 >Enhanced RF Characteristics of a 0.5 μm High Voltage nMOSFET (HVMOS) in a Standard CMOS Technology

【2h】

Enhanced RF Characteristics of a 0.5 μm High Voltage nMOSFET (HVMOS) in a Standard CMOS Technology

机译：采用标准CMOS技术的0.5μm高压nMOSFET（HVMOS）的增强RF特性

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Saavedra-Gómez H.J.; Loo-Yau J.R.; Luis del Valle-Padilla Juan; Moreno P.; Sandoval-Ibarra F.; Reynoso-Hernández J.A.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Enhanced RF Characteristics of a 0.5 pm High Voltage nMOSFET (HVMOS) in a Standard CMOS Technology [J] . Saavedra-Gómez H. J., Loo-Yau J. R., del Valle-Padilla Juan Luis, Journal of Applied Research and Technology . 2014,第3期

机译：采用标准CMOS技术的0.5 pm高压nMOSFET（HVMOS）的增强RF特性
2. Responsivity Enhanced NMOSFET Photodetector Fabricated by Standard CMOS Technology [J] . Wu Fuwei, Ji Xiaoli, Yan Feng Advances in condensed matter physics . 2015,第Pta1期

机译：采用标准CMOS技术制造的响应增强型NMOSFET光电探测器
3. Responsivity Enhanced NMOSFET Photodetector Fabricated by Standard CMOS Technology [J] . FuweiWu, XiaoliJi, FengYan Advances in condensed matter physics . 2015,第11期

机译：采用标准CMOS技术制造的响应增强型NMOSFET光电探测器
4. Effect of substrate voltage and oxide thickness on NMOSFET matching characteristics for a 0.18 /spl mu/m CMOS technology [C] . Difrenza, R., Llinares, . 2001

机译：采用0.18 / spl mu / m CMOS工艺的衬底电压和氧化物厚度对NMOSFET匹配特性的影响
5. Design, Fabrication, and Characterization of High Performance III-V nMOSFETs for VLSI Beyond Si-CMOS Scaling Limit. [D] . Lee, Sanghoon. 2014

机译：超越Si-CMOS缩放限制的用于VLSI的高性能III-V nMOSFET的设计，制造和表征。
6. A Regulated Temperature-Insensitive High-Voltage Charge Pump in Standard CMOS Process for Micromachined Gyroscopes [O] . Xiang Li, Rui Li, Chunge Ju, 2019

机译：用于微机械陀螺仪的标准CMOS工艺中的调节温度不敏感高压电荷泵
7. Enhanced RF Characteristics of a 0.5 μm High Voltage nMOSFET (HVMOS) in a Standard CMOS Technology [O] . H.J. Saavedra-Gómez, J.R. Loo-Yau, Juan Luis del Valle-Padilla, 2014

机译：采用标准CmOs技术增强0.5μm高压nmOsFET（HVmOs）的射频特性

Enhanced RF Characteristics of a 0.5 μm High Voltage nMOSFET (HVMOS) in a Standard CMOS Technology

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅