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刘湘涛;
无;
绝缘栅; 场效应管; CMOS电路;
机译:超越CMOS:III-V器件,RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成,以创建智能微系统
机译:E-MRS 2015年春季会议Z研讨会:用于先进半导体CMOS器件的纳米材料和工艺前言
机译:CMOS制造技术在半导体工艺与设备开发中的二维通道材料器件研究
机译:使用20nm栅极长度的45nm节点UTSOI晶体管的自对准COMOS器件在高性能CMOS器件中降低高性能CMOS器件源/漏极串联电阻的新方法
机译:缩放CMOS和SANOS非易失性半导体存储器件的高k电介质
机译:通过覆盖层的氧化作用进行低温处理的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件
机译:80-100 V低端横向双扩散金属氧化物半导体器件,侧面隔离为0.35μmCMOS兼容过程
机译:高温对CmOs(互补金属氧化物半导体)器件中闩锁和误码的影响。
机译:MOS晶体管,制造MOS晶体管的方法,包括MOS晶体管的CMOS半导体器件以及包括CMOS半导体器件的半导体器件
机译:MOS晶体管,制造相同MOS晶体管的方法,使用相同MOS晶体管的CMOS型半导体器件以及使用相同CMOS型半导体器件的半导体器件
机译:制造p型MOS晶体管的方法,制造包括该p型MOS晶体管的CMOS半导体器件的方法以及通过该制造方法制造的CMOS半导体器件
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