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公开/公告号CN115565574A
专利类型发明专利
公开/公告日2023-01-03
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN202211206511.X
发明设计人 黄如;徐伟凯;符芷源;黄芊芊;
申请日2022-09-30
分类号G11C11/22;G06N3/063;
代理机构北京万象新悦知识产权代理有限公司;
代理人贾晓玲
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2023-06-19 18:11:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-03
公开
发明专利申请公布
机译: 非破坏性读出CMOS晶体管铁电存储器及其操作方法
机译: 非破坏性读出复合铁电随机访问存储器及其操作方法
机译: 非破坏性读出TFT铁电随机存取存储器及其操作方法
机译:不对称偏振写入的非破坏性读出型铁电记忆的压印抗性改善
机译:基于互补金属氧化物半导体逆变器的电容反馈电荷集成方案的铁电随机存取存储器稳定读出电路
机译:铁电容器中的非易失性,小信号电容
机译:具有非破坏性读出操作的非易失性FCG(铁电电容器和晶体管栅极连接)存储单元
机译:铁电电容存储器:自主非易失性铁电存储器锁存器的特性。
机译:光学介电损耗作为指定电子转型类型的新方法:XRD和UV-VIS作为基于PEO基纳米复合材料的结构和光学表征的非破坏性技术
机译:在铁电电容器中进行电阻切换的情况下,区分铁电源与非铁电源的方法
机译:基于铁电陶瓷纵向冲击波去极化的紧凑型爆炸驱动高压一次电源对电容器组的脉冲充电。