一种用于多层铜互连CMP的工艺控制方法

摘要

本发明提出一种用于多层铜互连CMP的工艺控制方法，涉及化学机械抛光技术领域。该方法主要通过调整抛光液流量后，在压力1.68psi‑5.00psi、抛头转速104rpm‑110rpm、抛盘转速110rpm‑116rpm以及研磨时间30s‑90s的条件下进行抛光，优化获得最适抛光液流量后，进行抛光，制得产品。以抛光液流量控制多层铜互连阻挡层CMP中铜、介质的去除速率，进而达到控制制作工艺的精度，可有效简化制作流程的繁琐程度，并且，该方法适合多数集成电路多层金属CMP制作工艺，适用性较强，由此可见，该方法的使用价值和实用价值较高，适合产品的规模化生产制作。