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公开/公告号CN112355884A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-12
原文格式PDF
申请/专利权人 河北工业大学;天津晶岭微电子材料有限公司;
申请/专利号CN202011220177.4
发明设计人 王辰伟;刘玉岭;罗翀;王胜利;孙鸣;高宝红;
申请日2020-11-05
分类号B24B37/04(20120101);C09G1/04(20060101);
代理机构12107 天津市三利专利商标代理有限公司;
代理人肖莉丽
地址 300130 天津市红桥区光荣道29号河北工业大学南院微电子所
入库时间 2023-06-19 09:54:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-08
授权
发明专利权授予
机译: 化学机械抛光(CMP)浆料,用于抛光使用钽基阻挡层的铜互连
机译: 用于多层视频编码的速率控制方法,视频编码设备和使用该速率控制方法的视频信号处理系统
机译: 用于多层视频编码的速率控制方法,以及使用该速率控制方法的视频编码设备和视频信号处理设备
机译:多组分(AlCrRuTaTiZr)N_x的4纳米厚多层结构作为铜互连的坚固扩散阻挡层
机译:SiOCH上自形成的Mn氧化物阻挡层,用于通过金属有机化学气相沉积Mn制备纳米级铜互连
机译:集成CMP阻挡层浆料开发以实现可调节的速率选择性
机译:开发高级铜互连的替代扩散阻挡层。
机译:镍催化剂层和TiN扩散阻挡层对碳纳米管生长速率的影响
机译:铜互连技术中扩散阻挡层的制备及热稳定性研究
机译:具有稳定的氧化锆外层和化学阻挡层的多层制品