用于铜互连的更佳阻挡层

摘要

造成铜电迁移（EM）的主要因素之一是铜线与叠层势垒介质之间的弱界面。为了改善该界面，已经开发了新的自对准CuSiN工艺。Crolles 2 Alliance和NEC Electronics的研究人员于几个月前在加利福尼亚州Burlingame召开的国际互连技术会议（IITC）上展示了他们的自对准CuSiN工艺的成果。