应用于化学浸镀工艺中的贴膜方法

摘要

本申请公开了一种应用于化学浸镀工艺中的贴膜方法，包括：提供一晶圆，该晶圆是采用太鼓减薄工艺进行减薄后的晶圆，该晶圆的背面包括边缘区域和中心区域，边缘区域位于中心区域的外周侧，边缘区域从侧视角度观察高于中心区域；在中心区域贴附第一保护膜；在背面贴附第二保护膜；对晶圆进行化学浸镀工艺。本申请通过对采用太鼓减薄工艺进行减薄后的晶圆进行化学浸镀工艺之前，在对晶圆的背面进行贴膜保护的过程中，在中心区域贴附第一保护膜，降低了晶圆背面的断差，从而在晶圆背面第一保护膜上贴附第二保护膜后，减小了边缘区域的空隙，进而在一定程度上改善了化学浸镀工艺中的渗液现象，提高了产品的良率。

说明书

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种应用于化学浸镀工艺中的贴膜方法。

背景技术

太鼓(Taiko)减薄工艺是由日本迪思科(DISCO)公司开发的一种减薄工艺，该工艺并不对晶圆的整个平面都进行减薄，而只是对晶圆的中心区域进行减薄，不进行减薄的边缘区域的宽度约为2毫米至5毫米，其形成支撑环。支撑环可以为晶圆提供支撑力，减少晶圆的翘曲，因此，检测支撑环的宽度可以监控研磨设备的稳定性，以确保晶圆减薄同心度无偏移，否则会有后期工艺破片的风险。

化学浸镀(chemical plating，简称为“化镀”)是在无外加电流的情况下借助合适的还原剂，使镀液中金属离子还原成金属，并沉积到零件表面的一种镀覆方法，被应用于半导体制造业中。在半导体制造业中，倒装芯片(flip chip，FC)技术作为一种新型封装方式，其在金属焊盘(pad)上形成一定数量的凸点，提高了电流的传输效率，进而提高了芯片的封装集成度。对于倒装芯片封装技术，其关键点在于利用化学浸镀工艺在芯片的金属焊盘上制作一层可焊接的金属层(under bumping metallization，UBM)。

相关技术中，在对采用太鼓减薄工艺进行减薄后的晶圆(以下简称为“太鼓晶圆”)进行化学浸镀工艺前，需要在晶圆背面贴上保护膜用于保护背面，防止在作业过程中受到药液的腐蚀。参考图1，其示出了相关技术中在太鼓晶圆背面贴保护膜的剖面示意图，如图1所示，太鼓晶圆110具有表面断差，边缘区域高于中间区域，因此当贴上保护膜100后，会形成空隙(如图1中虚线所示)，在化学浸镀后会在空隙中产生渗液，从而导致晶圆背面被污染，失效芯片的占比较高，产品的良率较低。

发明内容

本申请实施例提供了一种应用于化学浸镀工艺中的贴膜方法，可以解决相关技术中提供的贴膜方法在进行化学浸镀工艺后容易造成渗液的问题，该方法包括：

提供一晶圆，所述晶圆是采用太鼓减薄工艺进行减薄后的晶圆，所述晶圆的背面包括边缘区域和中心区域，所述边缘区域位于所述中心区域的外周侧，所述边缘区域从侧视角度观察高于所述中心区域；

在所述中心区域贴附第一保护膜；

在所述背面贴附第二保护膜；

对所述晶圆进行化学浸镀工艺。

在一些实施例中，所述第一保护膜的厚度小于1000微米(μm)。

在一些实施例中，所述第一保护膜的面积小于71000平方毫米(mm

在一些实施例中，所述第一保护膜从俯视角度观察，其形状为圆形、椭圆形或矩形。

在一些实施例中，当所述第一保护膜从俯视角度观察为圆形时，所述圆形的直径小于300毫米(mm)。

在一些实施例中，所述第一保护膜不具有静电吸附能力，所述在所述中心区域贴附第一保护膜，包括：

通过粘贴的方式在所述中心区域贴附所述第一保护膜。

在一些实施例中，所述第一保护膜具有静电吸附能力，所述在所述中心区域贴附第一保护膜，包括：

通过静电吸附的方式在所述中心区域贴附所述第一保护膜。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过对采用太鼓减薄工艺进行减薄后的晶圆进行化学浸镀工艺之前，在对晶圆的背面进行贴膜保护的过程中，在中心区域贴附第一保护膜，降低了晶圆背面的断差，从而在晶圆背面第一保护膜上贴附第二保护膜后，减小了边缘区域的空隙，进而在一定程度上改善了化学浸镀工艺中的渗液现象，提高了产品的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术中在太鼓晶圆背面贴保护膜的剖面示意图；

图2是本申请一个示例性实施例提供的应用于化学浸镀工艺中的贴膜方法的流程图；

图3是本申请一个示例性实施中在太鼓晶圆背面贴保护膜的剖面示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

参考图2，其示出了本申请一个示例性实施例提供的应用于化学浸镀工艺中的贴膜方法的流程图，如图2所示，该方法包括：

步骤S1，提供一晶圆，该晶圆是采用太鼓减薄工艺进行减薄后的晶圆，该晶圆的背面包括边缘区域和中心区域，边缘区域位于中心区域的外周侧，边缘区域从侧视角度观察高于中心区域。

步骤S2，在中心区域贴附第一保护膜。

步骤S3，在晶圆背面贴附第二保护膜。

如图3所示，晶圆310是采用太鼓减薄工艺进行减薄后的晶圆，其边缘区域高于中心区域，在中心区域贴附第一保护膜311后，降低了边缘区域和中心区域之间的高度差，进而在背面贴附第二保护膜312(第二保护膜312位于第一保护膜311上且覆盖整个背面)后，边缘区域和中心区域之间的空隙变小，进而能够改善后续的化学浸镀工艺在空隙中的渗液。

其中，第一保护膜311的厚度小于1000微米，其面积小于71000平方毫米。在一些实施例中，第一保护膜311从俯视角度观察，其形状为圆形、椭圆形或矩形，当第一保护膜311从俯视角度观察为圆形时，该圆形的直径小于300毫米。

当第一保护膜311不具有静电吸附能力时，可通过粘贴的方式在中心区域贴附第一保护膜311；当第一保护膜311具有静电吸附能力时，可通过静电吸附的方式在中心区域贴附第一保护膜311。

步骤S4，对晶圆进行化学浸镀工艺。

通过步骤S1至步骤S3对背部进行贴膜保护后，即可对该晶圆进行化学浸镀工艺。

综上所述，本申请实施例中，通过对采用太鼓减薄工艺进行减薄后的晶圆进行化学浸镀工艺之前，在对晶圆的背面进行贴膜保护的过程中，在中心区域贴附第一保护膜，降低了晶圆背面的断差，从而在晶圆背面第一保护膜上贴附第二保护膜后，减小了边缘区域的空隙，进而在一定程度上改善了化学浸镀工艺中的渗液现象，提高了产品的良率。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。