公开/公告号CN114014648A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 北京科技大学;
申请/专利号CN202111456088.4
申请日2021-12-01
分类号C04B35/453(20060101);C04B35/50(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/624(20060101);H01L27/1159(20170101);
代理机构11401 北京金智普华知识产权代理有限公司;
代理人岳野
地址 100083 北京市海淀区学院路30号
入库时间 2023-06-19 14:08:07
机译: 形成类似铋层的铁电薄膜的方法,具有类似铋层的铁电薄膜的半导体装置以及该半导体装置的制造方法
机译: 用于形成铋基铁电薄膜的涂料溶液和使用该涂料溶液形成铋基铁电薄膜的方法
机译: 用于形成基于铋的电容或铁电薄膜和基于铋的电容或铁电薄膜的涂层解决方案