对SiC MOSFET器件电离辐射效应的数值分析方法

摘要

本发明公开了一种对SiC MOSFET器件电离辐射效应的数值分析方法，其包括：根据器件的结构、材料类型和掺杂浓度构建器件的二维仿真模型；从漂移‑扩散模型、迁移率模型、俄歇和间接复合模型、以及缺陷模型中，选取模型对所述器件电离辐射效应进行数值模拟；根据数值模拟数据得到所述器件各个端口的电学参数的变化。