首页> 中国专利> 一种非对称双栅结构的纳米管隧穿晶体管

一种非对称双栅结构的纳米管隧穿晶体管

摘要

本发明公开了一种非对称双栅结构的纳米管隧穿晶体管,包括内部栅极、内部高介电常数栅极氧化物、沟道重叠区、源极一侧沟道非重叠区、漏极一侧沟道非重叠区、外部高介电常数栅极氧化物、外部栅极、源极、漏极、内部漏极介质隔离层、外部漏极介质隔离层、内部源极介质隔离层、外部源极介质隔离层、绝缘隔离层、衬底。特征是内部栅极和外部栅极的非对称结构,通过不同的功函数设置和电压偏置,本发明在沟道重叠区中反型出的电子空穴层间发生隧穿。与现有纳米管隧穿晶体管相比,不要求源极沟道结处具有陡峭的掺杂分布,降低工艺难度;同等面积上可获得更大的电流密度,提高电流驱动能力;在大的电流范围内具有陡峭的亚阈值斜率,利于工作电压的缩放。

著录项

  • 公开/公告号CN113782598A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华东师范大学;

    申请/专利号CN202110967348.8

  • 申请日2021-08-23

  • 分类号H01L29/739(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/06(20060101);

  • 代理机构31215 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人徐筱梅;张翔

  • 地址 200241 上海市闵行区东川路500号

  • 入库时间 2023-06-19 13:40:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-06-23

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号