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公开/公告号CN113782598A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 华东师范大学;
申请/专利号CN202110967348.8
发明设计人 王雪珂;石艳玲;孙亚宾;李小进;刘赟;
申请日2021-08-23
分类号H01L29/739(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构31215 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙);
代理人徐筱梅;张翔
地址 200241 上海市闵行区东川路500号
入库时间 2023-06-19 13:40:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-23
授权
发明专利权授予
机译: 3 3水溶液中3D环绕栅结构的碳纳米管晶体管的制备方法及3D环绕栅结构的碳纳米管晶体管的制备方法
机译: 用于MOSFET的半导体结构,具有与n型双栅晶体管的背栅的一部分和p型双栅晶体管的背栅的一部分相接触的单阱,其中栅极被相同的掺杂剂掺杂。
机译: 具有双栅晶体管和独立非对称栅的存储单元
机译:基于非对称双栅Ge / GaAs-异质结隧穿场效应晶体管的无电容器单晶体管动态随机存取存储器,具有n掺杂的升压层和漏极-下覆结构
机译:通过具有非对称晶胞的双栅栅场效应晶体管结构进行等离子体太赫兹检测
机译:SiO_2 /高k栅堆叠电介质的对称双栅无结晶体管的直接隧穿栅电流模型
机译:单栅和双栅隧穿场效应晶体管的特性优化
机译:双势垒隧穿结中纳米结构的原子尺度理解:部分氧化的铝化镍上碱掺杂的buckminsterfullerenes的扫描隧穿显微镜(110)。
机译:基于双栅隧穿晶体管的无电容DRAM垫片工程优化
机译:双量子阱异质结构中基于2D-2D隧穿的平面量子晶体管;应用物理学报