具有多层级单元配置的非易失性存储器元件

摘要

本发明涉及具有多层级单元配置的非易失性存储器元件，提供包括非易失性存储器元件的结构，以及制造包括非易失性存储器元件的结构的方法。第一非易失性存储器元件包括第一电极、第二电极、以及第一电极与第二电极之间的切换层。第二非易失性存储器元件包括第一电极、第二电极、以及第一电极与第二电极之间的切换层。第一位线耦合至第一非易失性存储器元件的第一电极，以及耦合至第二非易失性存储器元件的第一电极。第二位线耦合至第一非易失性存储器元件的第二电极。