Design of 2T/Cell and 3T/Cell Nonvolatile Memories with Emerging Ferroelectric FETs

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• 来源
  《Design & Test of Computers, IEEE》 |2019年第3期|39-45|共7页
• 作者

  Xueqing Li; Juejian Wu; Kai Ni; Sumitha George; Kaisheng Ma; John Sampson; Sumeet Kumar Gupta; Yongpan Liu; Huazhong Yang; Suman Datta; Vijaykrishnan Narayanan;

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• 作者单位

  Tsinghua University Beijing China;

  University of Notre Dame;

  The Pennsylvania State University;

  Purdue University;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Nonvolatile memory; Logic gates; Sensors; Switches; Phase change random access memory; MOSFET; Hysteresis;

  机译：非易失性存储器;逻辑门传感器;开关;相变随机存取存储器;MOSFET;磁滞现象;