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公开/公告号CN113890335A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 桂林电子科技大学;
申请/专利号CN202111193856.1
发明设计人 刘雨枫;徐卫林;连立卓;陈江宇;刘欣才;谢宁波;苏国骏;
申请日2021-10-13
分类号H02M3/07(20060101);H03K3/03(20060101);
代理机构45107 桂林市持衡专利商标事务所有限公司;
代理人陈跃琳
地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
入库时间 2023-06-19 13:32:21
机译: 互补金属氧化物半导体电路器件具有2个逻辑电路,分别使用正负MOSFET和时钟晶体管,并且时钟阈值分别与后者和两个逻辑电路的晶体管有关
机译: 一种具有内部时钟信号产生电路的同步半导体存储器件,该内部时钟信号产生电路用于产生内部时钟信号,该内部时钟信号相对于外部时钟信号具有高精度的相位锁定。
机译:0.5V DRAM 60pJ,上升时间3个时钟,阈值电压损耗补偿字线升压电路
机译:用于0.5V操作DRAM的60pJ,上升时间3个时钟,阈值电压损耗补偿字线升压电路
机译:适用于亚阈值/近阈值设计的时钟门控单元的新型电路拓扑
机译:使用均衡器设计节能的亚阈值逻辑电路,使用忆阻器设计非易失性存储电路。
机译:基于等效电路模型的亚阈值区域CMOS太赫兹等离子体检测器的准静态分析
机译:两个相位时钟亚阈值绝热逻辑电路
机译:极化(tau)对的产生和使用极化e(sup(正负))碰撞器接近阈值的Cp违规测试