n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法

摘要

本发明提供了一种n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法，属于半导体材料领域。本发明采用磁控溅射方法在p型(100)面单晶硅基底上制备氮化硼薄膜；采用共溅射手段，在位碳掺杂得到n型氮化硼薄膜；然后在n型氮化硼薄膜一侧和p型单晶硅一侧分别制作银电极，即制得n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。本发明通过对氮化硼薄膜进行在位碳掺杂，得到电学性能优异的n型电导层，较比于未掺杂、硅掺杂的氮化硼薄膜的电学性能有显著提升；获得了整流特性良好的pn结原型器件。