法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-18
授权
授权
2019-08-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/04 申请日:20190509
实质审查的生效
2019-07-26
公开
公开
机译: P型导电SB掺杂的SNO 2 Sub>薄膜,氧化锡均质PN结包含相同的薄膜及其制备方法
机译: 半导体,n型半导体,p型半导体,半导体结器件,pn结器件和光电转换器
机译: 在p型层上生长以形成空穴注入pn异质结的n型宽带隙半导体及其制造方法