一种通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法

摘要

本发明提供一种通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法，提供基底上的栅极结构；栅极结构包括高K介质层及位于其上的栅极叠层；栅极结构两侧的基底上设有栅氧层；栅氧化层两侧端部紧贴栅极结构的高K介质层；形成覆盖栅极结构及其两侧的栅氧层的阻挡层；去除栅极结构两侧的栅氧层，将高K介质层的两侧端部暴露；形成覆盖栅极结构的侧墙层；侧墙层由栅极结构延伸至其两侧基底的上；刻蚀去除栅极结构顶部及两侧基底上的侧墙层，剩余的侧墙层在栅极结构的侧壁形成侧墙，高K介质层的两侧端部被侧墙覆盖。本发明在形成栅极侧墙时，将高K介质层的两端用侧墙保护，使得在去除栅极结构两侧的栅氧层时，避免发生高K介质栅腐蚀消失现象。