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Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on

召开年：2003
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1.A study on the V/sub th/ shift of HfAlO/sub x/ MISFETs with n/sup +//p/sup +/ poly-Si and TiN gate electrodes fabricated by replacement gate process

机译：用替代栅工艺制造的n / sup + // p / sup + /多晶硅和TiN栅电极的HfAlO / sub x / MISFET的V / sub th /移位研究
- 作者：Akasaka;Y.;Miyagawa;K.;Syoji;H.;Ogawa;O.;Kawahara;T.;Horiuchi;A.;Mitsuhashi;R.;Maeda;T.;Muto;A.;Kasai;N.;Yasuhira;M.;Arikado;T.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
2.Charge state dependent point defect in high-k dielectric HfO/sub 2/

机译：高k电介质HfO / sub 2 /中与电荷状态有关的点缺陷
- 作者：Shiraishi K.;Saito M.;Ohno T.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
3.Degradation of dielectric characteristics of underlying ultrathin SiO/sub 2/ films by Al adsorption in high vacuum

机译：高真空下铝吸附降解底层超薄SiO / sub 2 /薄膜的介电特性
- 作者：Tanabe;M.;Goto;M.;Uedono;A.;Yamabe;K.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
4.Effects of interactions between HfO/sub 2/ and poly-Si on MOSCAP and MOSFET electrical behavior

机译：HfO / sub 2 /与多晶硅之间的相互作用对MOSCAP和MOSFET电性能的影响
- 作者：Kaushik V.S.;Rohr E.;De Gendt S.;Delabie A.;Van Elshocht S.;Claes M.;Shi X.;Shimamoto Y.;Ragnarsson L.-A.;Witters T.;Manabe Y.;Heyns M.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
- hafnium compounds;
- dielectric thin films;
- silicon;
- elemental semiconductors;
- MOS capacitors;
- MOSFET;
- electron mobility;
- MOSFET;
- electrical properties;
- HfO/sub 2/-Si interaction;
- gate leakage;
- flatband voltage;
- electron mobility;
- HfO/sub 2/;
- Si;
5.Energy barrier heights of ultra-thin silicon dioxide films with different metal gates

机译：不同金属栅极的超薄二氧化硅薄膜的能垒高度
- 作者：Yoshii N.;Morita S.;Shinozaki A.;Aoki M.;Morita M.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
6.Gate dielectrics on strained-Ge layers on Si/sub 1-x/Ge/sub x//Si virtual substrates

机译：Si / sub 1-x / Ge / sub x // Si虚拟衬底上应变Ge层上的栅极电介质
- 作者：Bhattacharya;S.;McCarthy;J.;Armstrong;B.M.;Gamble;H.S.;Dalapati;G.K.;Das;S.;Maiti;C.K.;Perova;T.;Moore;A.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
7.Solution-based fabrication of high-k gate dielectrics

机译：基于解决方案的高k栅极电介质制造
- 作者：Aoki Y.;Kunitake T.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
8.Gate dielectric scaling for high-performance CMOS: from SiO/sub 2/ to high-K

机译：用于高性能CMOS的栅极介电缩放：从SiO / sub 2 /到高K
- 作者：Chau R.;Datta S.;Doczy M.;Kavalieros J.;Metz M.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
9.Method of increasing gate nitridation and its impact on CMOS devices

机译：增加栅极氮化的方法及其对CMOS器件的影响
- 作者：Gopinath V.P.;Hornback V.;Le Y.;Kamath A.;Duong L.;Lin J.;Mirabedini M.R.;Yeh W.C.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
10.Proposal of quantum well gate insulating (QWGI) structures for band offset engineering from first-principles calculations

机译：从第一性原理计算中提出的用于带偏移工程的量子阱栅绝缘（QWGI）结构的建议
- 作者：Schimizu T.;Yamaguchi T.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
11.Study of defects in MOS structures using HfAlO/sub x/ gate dielectric by means of positron annihilation

机译：利用HfAlO / sub x /栅极电介质通过正电子an没研究MOS结构中的缺陷
- 作者：Uedono A.;Mitsuhashi R.;Horiuchi A.;Torii K.;Yamabe K.;Yamada K.;Suzuki R.;Ohdaira T.;Mikado T.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
12.Ultra-thin SiN gate dielectric fabricated by N/sub 2/ plasma direct nitridation

机译：N / sub 2 /等离子体直接氮化制备的超薄SiN栅介质
- 作者：Inoue M.;Tsuchimoto J.;Mizutani M.;Yugami J.;Ohno Y.;Yoneda M.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
13.Separate and independent control of interfacial band alignments and dielectric constants in complex rare-earth/transition metal (Re/Tm) oxides

机译：稀土和过渡金属（Re / Tm）复合氧化物中界面能带排列和介电常数的独立控制
- 作者：Lucovsky G.;Yu Zhang;Whitten J.L.;Scholm D.G.;Freeouf J.L.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
14.HfSiON gate dielectric for CMOS applications

机译：用于CMOS应用的HfSiON栅极电介质
- 作者：Takayanagi M.;Watanabe T.;Iijima R.;Kaneko A.;Inumiya S.;Hirano I.;Sekine K.;Nishiyama A.;Eguchi K.;Tsunashima Y.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
15.Implementation of high-k gate dielectrics - a status update

机译：高k栅极电介质的实现-状态更新
- 作者：De Gendt S.;Chen J.;Carter R.;Cartier E.;Caymax M.;Claes M.;Conard T.;Delabie A.;Deweerd W.;Kaushik V.;Kerber A.;Kubicek S.;Maes J.W.;Niwa M.;Pantisano L.;Puurunen R.;Ragnarsson L.;Schram T.;Shimamoto Y.;Tsai W.;Rohr E.;Van Elshocht S.;Witters T.;Young E.;Zhao C.;Heyns M.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
- hafnium compounds;
- dielectric materials;
- MOS capacitors;
- MOSFET;
- crystallisation;
- transmission electron microscopy;
- gate dielectrics;
- Hf-Al mixed oxides;
- MOS transistors;
- TEM;
- crystallisation;
- MOS capacitors;
- HfAlO;
16.Improved performance of FETs with HfAlO/sub x/ gate dielectrics using optimized poly-SiGe gate electrodes

机译：使用优化的多晶硅SiGe栅电极改善具有HfAlO / sub x /栅介质的FET的性能
- 作者：Muto A.;Ohji H.;Kawahara T.;Maeda T.;Torii K.;Kitajima H.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
17.Improvement in the uniformity and the thermal stability of Hf-silicate gate dielectric by plasma-nitridation

机译：等离子体氮化提高H硅酸盐栅介质的均匀性和热稳定性
- 作者：Kamiyama S.;Aoyama T.;Tsutsumi Y.;Takada H.;Horiuchi A.;Maeda T.;Torii K.;Kitajima H.;Arikado T.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
18.Improvement in thermal stability of the interfacial layer for poly Si/HfAlO/sub x/ gate stacks

机译：改进多晶硅/ HfAlO / sub x /栅堆叠的界面层的热稳定性
- 作者：Mitsuhashi R.;Horiuchi A.;Uedono A.;Torii K.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
19.Ru gate electrode for a La-oxide gate insulator deposited by metalorganic chemical vapor deposition

机译：通过金属有机化学气相沉积法沉积的La氧化物栅绝缘体的Ru栅电极
- 作者：Shimizu T.;Ishii K.;Suzuki E.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
- ruthenium;
- lanthanum compounds;
- MOSFET;
- MOCVD coatings;
- thin films;
- Ru gate electrode;
- La-oxide gate insulator;
- metalorganic chemical vapor deposition;
- electrical properties;
- MOSFET;
- Ru-LaO;
20.Resonant tunneling in stacked dielectrics: a novel approach for obtaining the electron tunneling mass-conduction band offset energy products for advanced gate dielectrics

机译：堆叠介电层中的共振隧穿：获得先进栅极电介质的电子隧穿质量传导带偏移能量积的新方法
- 作者：Hinkle C.L.;Fulton C.;Nemanich R.J.;Lucovsky G.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
21.Advanced oxynitride gate dielectrics for CMOS applications

机译：用于CMOS应用的高级氮氧化物栅极电介质
- 作者：Yugami J.;Tsujikawa S.;Tsuchiya R.;Saito S.;Shimamoto Y.;Torii K.;Mine T.;Onai T.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
22.Atomic layer deposition chemistry, mechanisms and related physical properties of high permittivity dielectric oxides

机译：高介电常数介电氧化物的原子层沉积化学，机理及相关物理性质
- 作者：Kukli K.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
23.Comparative study of carrier mobility and threshold voltage between N- and p-MOSFETs in TaN gate CMOS with EOT=1.5-2 nm HfAlO/sub x/

机译：TaN门CMOS中EOT = 1.5-2 nm HfAlO / sub x /的N-和p-MOSFET之间的载流子迁移率和阈值电压的比较研究
- 作者：Ota;H.;Hisamatsu;H.;Yasuda;N.;Mizubayashi;W.;Ohno;M.;Iwamoto;K.;Tominaga;K.;Kadoshima;M.;Yamagishi;N.;Akiyama;K.;Yamamoto;K.;Nabatame;T.;Horikawa;T.;Toriumi;A.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
- tantalum compounds;
- dielectric thin films;
- hafnium compounds;
- MOSFET;
- carrier mobility;
- leakage currents;
- carrier mobility;
- threshold voltage;
- p-MOSFET;
- gate CMOS;
- n-MOSFET;
- 1.5 to 2 nm;
- TaN;
- HfAlO/sub x/;
24.Effects of Hf sources, oxidizing agents, and NH/sub 3/ radicals on properties of HfAlO/sub x/ films prepared by atomic layer deposition

机译：f源，氧化剂和NH / sub 3 /自由基对原子层沉积制备的HfAlO / sub x /薄膜性能的影响
- 作者：Kawahara T.;Torii K.;Mitsuhashi R.;Mutoh A.;Horiuchi A.;Ito H.;Kitajima H.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
25.Effects of nitrogen incorporation HfAlO/sub x/ films on gate leakage current from XPS study of Hf bonding states

机译：XPS研究Hf键合态时掺氮HfAlO / sub x /膜对栅漏电流的影响
- 作者：Nishimura;T.;Iwamoto;K.;Tominaga;K.;Yasuda;T.;Mizubayashi;W.;Fujii;S.;Nabatame;T.;Toriumi;A.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
26.Extending the life of N/O stack gate dielectric with gate electrode engineering

机译：通过栅电极工程技术延长N / O堆叠栅介质的寿命
- 作者：Qi Xiang;Krivokapic Z.;Maszara W.;Ming-Ren Lin
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
27.Further EOT scaling of Ge/HfO/sub 2/ over Si/HfO/sub 2/ MOS systems

机译：在Si / HfO / sub 2 / MOS系统上进一步实现Ge / HfO / sub 2 /的EOT缩放
- 作者：Kita K.;Sasagawa M.;Tomida K.;Tohyama M.;Kyuno K.;Toriumi A.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
28.Hf-based high-K dielectrics

机译：基高介电常数
- 作者：Lee J.C.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
29.In-situ HfSiON/SiO/sub 2/ gate dielectric fabrication using hot wall batch system

机译：使用热壁批处理系统原位制备HfSiON / SiO / sub 2 /栅介质
- 作者：Aoyama T.;Kamiyama S.;Tamura Y.;Sasaki T.;Mitsuhashi R.;Torii K.;Kitajima H.;Arikado T.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
30.Properties of tantalum silicate thin films prepared by metalorganic decomposition

机译：金属有机分解法制备硅酸钽薄膜的性能
- 作者：Salam K.M.A.;Saito H.;Fukuda H.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
31.Self-organized Si suboxide (SiO/sub x/, x>2) interfacial layers - optimization of performance and reliability in advanced devices

机译：自组织的次氧化硅（SiO / sub x /，x> 2）界面层-优化先进设备的性能和可靠性
- 作者：Lucovsky;G.;Phillips;J.C.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
32.Dependence of electron mobility by remote coulomb scattering on dielectric constant distribution in stacked gate dielectrics

机译：远程库仑散射对电子迁移率的依赖与叠栅电介质中介电常数的分布
- 作者：Ono M.;Ishihara T.;Nishiyama A.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
33.Electrical characteristics of rare-earth oxides stacked-layer structures

机译：稀土氧化物叠层结构的电学特性
- 作者：Ohmi S.;Ueda I.;Kobayashi Y.;Tsutsui K.;Iwai H.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
34.EOT scaling and device issues for high-k gate dielectrics

机译：高k栅极电介质的EOT缩放和器件问题
- 作者：Gardner M.I.;Gopalan S.;Gutt J.;Peterson J.;Hong-Jyh Li;Huff H.R.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
35.Impacts of hole trapping on the NBTI degradation and recovery in PMOS devices

机译：空穴陷阱对PMOS器件中NBTI退化和恢复的影响
- 作者：Lin H.-C.;Lee D.-Y.;Ou S.-C.;Chien C.-H.;Huang T.-Y.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
- MOSFET;
- hole traps;
- recovery;
- stress relaxation;
- hole trapping;
- PMOS devices;
- negative bias temperature instability degradation;
- n-channel MOSFET;
- p-channel MOSFET;
- recovery;
36.Nitrogen-related enhanced reliability degradation in nMOSFETs with 1.6 nm gate dielectric

机译：具有1.6 nm栅极电介质的nMOSFET中与氮有关的增强的可靠性下降
- 作者：Ching-Wei Chen;Chao-Hsin Chien;Shih-Chich Ou;Tsu-Hsiu Perng;Da-Yuan Lee;Yi-Cheng Chen;Horng-Chich Lin;Tiao-Yuan Huang;Chun-Yen Chang
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
37.Drastically improved NBTI lifetime by periodic plasma nitridation for 90 nm mobile applications at low voltage operation

机译：通过周期性的等离子体氮化，在低压运行下的90 nm移动应用中，可大大提高NBTI寿命
- 作者：Kawae T.;Minemura Y.;Fukuda S.;Hirano T.;Suzuki Y.;Saito M.;Kadomura S.;Samukawa S.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
38.The influence of silicon nitride cap on NBTI and fermi pinning in HfO/sub 2/ gate stacks

机译：氮化硅帽对HfO / sub 2 /栅堆叠中NBTI和费米钉扎的影响
- 作者：Sasaki T.;Ootsuka F.;Hoshi T.;Kawahara T.;Maeda T.;Yasuhira M.;Arikado T.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年
39.Vapor-liquid hybrid deposition (VALID) of hafnium silicate films using Hf(O/sup t/C/sub 4/H/sub 9/)/sub 4/ and Si(OC/sub 2/H/sub 5/)/sub 4/ precursors

机译：使用Hf（O / sup t / C / sub 4 / H / sub 9 /）/ sub 4 /和Si（OC / sub 2 / H / sub 5 /）/的硅酸ha薄膜汽-液混合沉积（VALID） sub 4 /前体
- 作者：Xuan;Y.;Yasuda;T.
- 会议名称：《Gate Insulator, 2003. IWGI 2003. Extended Abstracts of International Workshop on》 | 2003年