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公开/公告号CN113644907A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-12
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN202111016423.9
发明设计人 丁荣正;俞少峰;朱小娜;
申请日2021-08-31
分类号H03K19/0948(20060101);
代理机构31286 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人黄海霞
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2023-06-19 13:13:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-07
授权
发明专利权授予
机译: 用于设计和制造具有互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的半导体结构的方法,所述互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的栅极的功函数接近中间间隙半导体值
机译: 互补共栅和共源放大器的增益控制。
机译: 互补共栅和共源放大器的增益控制
机译:具有标准波长互补金属氧化物半导体技术的具有波长选择金属栅结构的高灵敏度栅/主体束缚金属氧化物半导体场效应晶体管型光电探测器
机译:非对称自共栅绝缘体上硅n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管实现共源电流镜电特性的实验和仿真分析
机译:具有反馈结构的带栅/束缚金属氧化物硅场效应晶体管型光电探测器的可变动态范围互补金属氧化物半导体图像传感器
机译:基于增量掺杂互补异质结构绝缘栅场效应晶体管技术的4 kbit同步静态随机存取存储器
机译:基因时钟置位复位锁存器的设计和构建。
机译:全方位栅InAs纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中的高度栅可调Rashba自旋轨道相互作用
机译:用于超灵敏无标记生物传感应用的底栅和阶梯栅多晶硅纳米线场效应晶体管
机译:互补Gaas结栅控异质结构场效应晶体管技术