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机译:非对称自共栅绝缘体上硅n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管实现共源电流镜电特性的实验和仿真分析
Centro Universitário da FEI, Brazil;
机译:辐射引起的反向沟道泄漏和反向栅极偏置对薄栅氧化物部分耗尽绝缘硅上n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电流瞬态的影响
机译:氮流量比与溅射氮化钛栅体平面金属氧化物半导体场效应晶体管和鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性的比较研究
机译:带有接地体电极的新型体贴式绝缘体上硅(SOI)n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:非对称金属氧化物半导体场效应晶体管的关态漏电流特性研究
机译:质子交换铌酸锂和亚微米级绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的共线声光相互作用。
机译:基于再生和注入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制作和评估
机译:一种新型体结硅绝缘体(sOI)n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,带有接地体电极
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)