用于垂直型分子束外延生长设备的薄膜材料生长用钼盘托

摘要

本发明公开了一种用于垂直型分子束外延生长设备的薄膜材料生长用钼盘托，属于半导体材料生长领域。两用生长钼盘由两部分构成，第一部分为主体部分圆形钼盘托，背面有测温片放置槽；第二部分为背面有测温孔的测温片，使用接触控温时将测温片放入第一部分测温槽中使用。所述两用为：当主体部分不使用测温片时进行非接触式测温，可进行高温材料生长；当两部分组合使用时可采用接触测温，生长温度要求高及材料生长窗口范围窄的材料。本发明在进行材料生长时，不需要二次粘片，解决了衬底掉片的问题；与此同时，使用本发明的钼盘托，安装测温片时在有氮气保护的loading腔内安装即可，不会暴露于大气中，有效的解决了沾污问题。