垂直堆垛InAs量子点材料的分子束外延生长

摘要

用MBE设备以Stranski Krastanov生长方式外延生长了 5个周期垂直堆垛的InAs量子点 ,在生长过程中使用对形状尺寸控制法来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性。样品外延的主要结构是 5 0 0nm的GaAs外延层 ,15nm的Al0 .5Ga0 .5As势垒外延层 ,5个周期堆跺的InAs量子点 ,5 0nm的Al0 .5Ga0 .5Asnm势垒外延层等。在生长过程中用反射式高能电子衍射仪 (RHEED)实时监控。生长后用原子力显微镜 (AFM)进行表面形貌的表征 ,再利用光制发光 (PL)