在半导体衬底上的三维结构中填充间隙的方法

摘要

本申请涉及在半导体衬底上方的三维结构中填充间隙。该方法可以包括使用利用具有第一频率的第一射频(RF)功率激活的至少一种反应气体将薄膜至少沉积在衬底上方的三维结构上，所述三维结构包括沟槽和/或孔。该方法还可以包括使用利用具有小于第一频率的第二频率的第二RF功率激活的至少一种蚀刻剂蚀刻沉积的薄膜。该方法还可以包括重复至少一次沉积和蚀刻的循环，直到沟槽和/或孔被薄膜填充。根据一些实施例，可以在三维结构中形成基本上没有空隙和/或接缝的薄膜。