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敬天宇1; 李琦1; 阮颖杰1; 艾大鹏2; 王超1;
[1]吉林建筑大学电气与计算机学院 吉林长春130000;
[2]大陆汽车电子(长春)有限公司 吉林长春130000;
半导体材料; 生物衬底; 低温;
机译:通过低温等离子体聚合在柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯/铟锡氧化物衬底上合成的柔性电致变色钨/钛混合氧化物薄膜
机译:不同衬底温度下反应蒸发沉积铟锡氧化物薄膜的制备及性能
机译:在Si(100)衬底上制备的euro-铟-铟氧化物薄膜的电学和传输性质
机译:使用在150°C下通过原子层沉积制备的In-Ga-Zn-O有源沟道的氧化物薄膜晶体管的低温工艺兼容性
机译:半透明氧化锌:低温制备的铝/铜(I)氧化物薄膜异质结:结处本征ZnO缓冲层的作用
机译:低温还原气氛下PLD在立方织构的Cu复合衬底上外延生长SrTiO3薄膜
机译:不同衬底温度下脉冲激光沉积制备Al2O3衬底上ZnO薄膜的性能
机译:通过低温Graphoepitaxy在非晶衬底上的单晶半导体薄膜
机译:在半导体衬底上化学气相相沉积制备金属氧化物薄膜的方法。
机译:通过在每个空白空间中提供衬底支撑元件以将下衬底水平键合到上衬底水平中的半导体芯片区域,并切断上衬底水平和衬底支撑元件来对半导体芯片进行切割
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
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