在形成于基材上的间隙中沉积介电层以及以介电材料填充间隙的方法

摘要

本发明描述一种在形成于基材上的间隙中沉积介电层的方法。所述方法包括导入有机硅前体及氧前体至沉积反应室。所述有机硅前体的C∶Si原子比小于8，且所述氧前体包括在所述沉积反应室外产生的氧原子。使所述些前体进行反应以在所述间隙中形成介电层。亦描述以介电材料填充间隙的方法。所述方法包括提供C∶Si原子比小于8的有机硅前体及氧前体，并由所述些前体产生等离子以在所述间隙中沉积所述介电材料的第一部分。可蚀刻所述介电材料，且可在所述间隙中形成所述介电材料的第二部分。可退火处理所述介电材料的第一及第二部分。