低介电常数原子层沉积间隙填充方法和材料

摘要

多种实施方案包括用于提供低介电常数(低‑κ)膜的方法。在一实施方案中，交替ALD循环和掺杂剂材料用于产生新家族的硅基低‑κ材料。具体而言，这些材料是被发展用来填充具有内凹特征的高深宽比结构。然而，这些膜也可用于均厚应用，其中可以使用共形的纳米层合。多种实施方案还公开了SiOF以及SiOCF、SiONF、GeOCF和GeOF。相似膜可包括具有碘与溴的卤化物衍生物(例如，以“I”或“Br”来取代“F”)。本说明书公开其他方法、化学品以及技术。

说明书

优先权主张

本申请要求于2018年9月21日申请的、名称为“LOW-K ALD GAP-FILL METHODS ANDMATERIAL,”的美国临时申请序列号62/734,635的优先权，其公开内容通过引用全部合并于此。

技术领域

在此公开的主题涉及用于半导体及其相关工业的各种类型的膜。更详细地说，所公开的主题涉及形成低-κ(低介电常数)材料和间隙填充方法。

背景技术

用于半导体器件的电阻、电容(RC)的缩放是取决于新膜和材料的发展，其中该新膜和材料具有沉积至侵蚀性特征上且填充侵蚀性特征的能力。NAND、DRAM、PCRAM和相关的存储器及其他器件是取决于对一般介电器件进行二氧化硅(SiO

在该部分所描述的信息是被提供用于向本领域技术人员针对以下公开的主题提供背景内容，且不应被视为承认的现有技术。

附图说明

图1显示了用于以掺杂氟的氧化硅(SiOF，也称为氟硅酸盐玻璃)或各种生成在此公开的低-κ膜的实施方案的其他卤化物来进行硅氧化物(SiO

图2A-2C显示了200℃相变化随机存取存储器(PCRAM)均厚(blanket)测试的示例性实施方案，其比较基线工艺与所公开的主题的新工艺的介电常数(生成低-κ膜)、击穿场强度(具有比通过基线工艺生成的膜更大的击穿电压V

图3A-3C显示400℃PCRAM均厚测试的示例性实施方案，其比较基线工艺与所公开的主题的新工艺的介电常数(生成低-κ膜)、击穿场强度(具有比通过基线工艺生成的膜更大的击穿电压V

图4显示了并入有掺杂剂工艺流程的ALD工艺流程的方法的示例性实施方案；

图5显示并入有掺杂剂工艺流程和退火工艺控制流程的ALD工艺流程的方法的示例性实施方案；

图6显示了用于低深宽比(低AR)特征且并入有掺杂剂工艺流程的ALD工艺流程的方法的示例性实施方案；以及

图7显示了用于高深宽比(高AR)特征且并入有掺杂剂工艺流程的ALD工艺流程的方法的示例性实施方案。

具体实施方式

现将参照一些一般的和特定的实施方案来详细描述所公开的主题，例如附图中所描绘的各种实施方案。在以下描述中，许多特定细节被公开，以提供对所公开的主题的完整理解。然而，本领域技术人员应理解，所公开的主题可在不具有这些特定细节中的一些或全部的情况下来实现。在其他情况中，并未详细地描述已知的工艺步骤或结构，以避免使所公开的主题不清楚。

所公开的主题公开了工艺方法，其利用交替原子层沉积(ALD)循环和掺杂材料来产生新的硅基低-κ材料家族。在多种实施方案中，介电常数k可介于约3.2至约3.4的范围中。更详细地说，这些材料是被发展用来填充具有内凹特征的高深宽比结构。在此公开的工艺可以在高深宽比特征中产生无孔隙或基本上无孔隙的填充。然而，这些膜也可用于均厚膜应用中，其中可以使用共形的纳米层合。所公开的主题包括例如掺杂氟的硅氧化物(SiOF)，以及例如氟化碳氧硅(SiOCF)、氟化氮氧化硅(SiONF)、氟化碳氧锗(GeOCF)和掺杂氟的锗氧化物(GeOF)材料之类的建议物。用来取代这些材料或除了这些材料以外，这些膜的相似膜还可以包括具有碘与溴的卤化物衍生物(例如，以I或Br来取代前述材料的F)。

对于间隙填充应用，这些材料可以用于例如包括几何形态复杂的集成电路结构(其包括3D NAND字线)的3D无孔隙间隙填充的NAND间隙填充(例如，狭缝和柱体或孔洞)、DRAM浅沟渠隔离(STI)、逻辑STI、PCRAM STI、MRAM以及逻辑金属前电介质(PMD)。这些材料和方法还可以用于水平和竖直器件间隙填充的串接式沉积和间隙填充(例如，类似位于NAND字线和其他器件之间的层间电容堆叠)。氟或另一卤化物在SiO

在此描述的间隙填充工艺也是通过使用例如氟作为掺杂剂而逐层来调节所沉积的膜厚的ALD工艺。因此，在多种实施方案中，该ALD工艺包括膜沉积层、氟掺杂、随后的另一膜沉积层、以及对于给定工艺所需求的层等。在多种实施方案中，各个层可例如介于约

此外，氟掺杂剂轮廓可以是在z-方向或横向上为渐变的或非渐变的。因此，如果需要，可以在任何方向上产生掺杂剂轮廓的梯度。在多种实施方案中，氟(或碘(I)或溴(Br)，如上所述)的掺入是被控制成如作为本公开内容的一部分的各种图中所描绘的。

在一些情况中，可以减少膜的卤化物含量。减少膜的卤化物含量的方法包括例如中间处理或后处理：一或多个高处理温度、氢处理(+/-等离子体)、H

大致上，在其他因素基本上恒定时，当频率增加时，介电常数κ会减小。在多种实施方案中，功率范围可以介于约100瓦(或更小)至约6000瓦(或更大)。增加的功率会倾向于增加所生成的膜的致密性。

已经以介于约200℃至约550℃之间的沉积温度来生成SiOF膜。在其他实施方案中，SiOF膜是在介于约0℃至约700℃之间的温度来生成的，其中该温度至少部分地取决于硅前体的选择。此外，可利用温度来控制膜密度。例如，在一实施方案中，在0℃生成的ALD膜具有低密度，而在700℃生成的ALD膜具有较高的密度。

在多种实施方案中，可以使用以下的前体和相关的类似物：双叔丁基氨基硅烷(BTBAS)、三二甲基氨基硅烷(3DMAS)、三二甲基氨基硅烷(TDMAS)、双二乙基氨基硅烷(BDEAS)、二异丙基氨基硅烷(DIPAS)、亚甲硅基、卤化(例如，F、Br、I)硅、以及本领域技术人员在根据阅读和理解本文所提供的公开内容而能识别的物质等。

已经以新颖的掺杂策略来发展SiOF的家族。材料是通过在ALD SiO

现在参照图1，其显示了用于以掺杂氟的硅氧化物(SiOF，也称为氟硅酸盐玻璃)或各种生成在此公开的低-κ膜的实施方案的其他卤化物来进行硅氧化物(SiO

图2A-2C显示了200℃相变化随机存取存储器(PCRAM)均厚(blanket)测试的示例性实施方案，其比较基线工艺与所公开的主题的新工艺的介电常数(生成低-κ膜)、击穿场强度(具有比通过基线工艺生成的膜更大的击穿电压V

例如，图2A的图形200比较基线工艺201与所公开的主题在此定义的新工艺203的介电常数κ。如图形200所显示的，新工艺203生成了具有明显地较低介电常数的膜(例如，基线工艺201生成了具有平均约4.25的介电常数κ的膜，相比之下，新工艺203生成了具有平均约3.15的介电常数κ的膜)。如图形200所进一步显示的，新工艺203的误差杠(error bar)(例如，所生成的膜的介电常数的“分布(spread)”)是明显地较小的，因此表示由新工艺203生成的制造膜具有更恒定与可再现的介电常数值。

图2B的图形230比较基线工艺231与所公开的主题在此定义的新工艺233的击穿场强度(单位为MV/cm)。如图形230所显示，新工艺233生成了具有明显地较高的击穿场强度的膜(例如，基线工艺231生成了具有平均约11.2MV/cm的击穿场强度的膜，相比之下，新工艺233生成了具有平均约12.6MV/cm的击穿场强度的膜)。如图形230所进一步显示的，新工艺233的误差杠是明显地较小的，因此表示由新工艺233生成的制造膜具有更恒定与可再现的击穿场强度。

图2C的图形250比较基线工艺251与所公开的主题在此定义的新工艺253的漏电流(单位为A/cm

图3A-3C显示400℃PCRAM均厚(blanket)测试的示例性实施方案，其比较基线工艺与所公开的主题的新工艺的介电常数(生成低-κ膜)、击穿场强度(具有比通过基线工艺生成的膜更大的击穿电压V

例如，图3A的图形300比较基线工艺301与所公开的主题在此定义的新工艺303的介电常数κ。如图形300所显示的，新工艺303生成了具有明显地较低介电常数的膜(例如，基线工艺301生成了具有平均约3.8的介电常数κ的膜，相比之下，新工艺303生成了具有平均约3.3的介电常数κ的膜)。如图形300所进一步显示的，新工艺303的误差杠(error bar)的范围与基线工艺301比较约相等。

图3B的图形330比较基线工艺331与所公开的主题在此定义的新工艺333的击穿场强度(单位为MV/cm)。如图形330所显示，新工艺333生成了具有明显地较高的击穿场强度的膜(例如，基线工艺331生成了具有平均约11.2MV/cm的击穿场强度的膜，相比之下，新工艺333生成了具有平均约12.7MV/cm的击穿场强度的膜)。如图形330所进一步显示的，新工艺333的误差杠是明显地较小的，因此表示由新工艺333生成的制造膜具有更恒定与可再现的击穿场强度。

图3C的图形350比较基线工艺351与所公开的主题在此定义的新工艺353的漏电流(单位为A/cm

图4显示了并入有掺杂剂工艺流程430的ALD工艺流程410的方法400的示例性实施方案。取决于特定的操作(包括需要的膜厚度和特性、间隙填充能力、特征的深宽比、以及本领域技术人员能理解的其他因素)，ALD工艺流程410可以重复1至100次或更多次(例如，n＝l至n≥100次循环)。在“n”个循环期间，可以根据需要将至少部分的掺杂剂工艺流程430并入ALD工艺流程410。

在一特定的示例性实施方案中，在配料操作411中，硅烷前体气体被引进到反应室中的衬底(例如，硅晶片)且包括一或更多种在以下所述体积流率或接近以下所述体积流率的气体：约1标准升每分钟(slpm)至约20slpm的氩(Ar)、约0slpm至约30slpm的氮(N

在清扫(purge)操作413期间，副产物和过量的反应物气体从反应室被去除。该些气体包括约1slpm至约20slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

在氧化操作415中，以RF等离子体来氧化且清洁衬底的表面。氧化操作415包括一或更多种在以下所述流率或接近以下所述流率的气体：约1slpm至约20slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

在第二清扫操作417中，残余的氧化物从反应室被去除。这些气体包括约1slpm至约20slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

可以针对给定工艺在ALD工艺流程410中的一和更多个适当点于操作401引进掺杂剂工艺流程430，并且掺杂剂工艺流程430可以在操作403返回到ALD工艺流程410。图上显示掺杂剂工艺流程430包括点燃操作431、掺杂操作433、以及清扫操作435。如上文参照ALD工艺流程410所述的，室内的压强可以介于约0.6托与约10托之间，且室内的温度可以介于约150℃至约550℃之间。对于方法400的示例性实施方案整体而言，所述室压强和温度可以是在所述反应室内基本上恒定或是在所述压强和温度的范围内。

点燃操作431包括一或更多种在以下所述流率或接近以下所述流率的气体：约1slpm至约20slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

掺杂操作433包括一或更多种在以下所述流率或接近以下所述流率的气体：约1slpm至约20slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

在清扫操作435中，残余的气体从反应室被去除。该些气体包括约1slpm至约20slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

图5显示了并入有掺杂剂工艺流程530和退火工艺控制流程550的ALD工艺流程510的方法500的示例性实施方案。取决于特定的操作(包括需要的膜厚度和特性、间隙填充能力、特征的深宽比、以及本领域技术人员能理解的其他因素)，ALD工艺流程510可以重复1至100次或更多次(例如，n＝l至n≥100次循环)。在“n”个循环期间，可以根据需要将至少部分的掺杂剂工艺流程530和退火工艺控制流程550以部分或整体并入ALD工艺流程510和方法500。

此外，尽管图5显示了掺杂剂工艺流程530和退火工艺控制流程550具有特定顺序，但并未表示应该具有这样的顺序。例如，掺杂剂工艺流程530内的一或更多个操作可以在退火工艺控制流程550中的一或更多个操作之后发生。例如，掺杂剂工艺流程530和退火工艺控制流程550操作可根据期望的掺杂控制而互换。

再次参照ALD工艺流程510，在一特定的示例性实施方案中，在配料操作511中，硅烷前体气体被引进到反应室中的衬底(例如，硅晶片)且包括一或更多种在以下所述体积流率或接近以下所述流率的气体：约1标准升每分钟(slpm)至约10slpm的氩(Ar)、约0slpm至约30slpm的N

在清扫(purge)操作513期间，副产物和过量的反应物气体从反应室被去除。这些气体包括约1slpm至约10slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

在氧化操作515中，以RF等离子体来氧化且清洁衬底的表面。氧化操作515包括一或更多种在以下所述流率或接近以下所述流率的气体：约1slpm至约20slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

在第二清扫操作517中，残余的氧化物从反应室被去除。这些气体包括约1slpm至约20slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

可以针对给定工艺在ALD工艺流程510中的一和更多个适当点于操作501引进掺杂剂工艺流程530，并且掺杂剂工艺流程530可持续至全部或部分的退火工艺控制流程550。此外，如上所述，尽管图5显示掺杂剂工艺流程530和退火工艺控制流程550具有特定顺序，但并未表示应该具有这样的顺序。例如，掺杂剂工艺流程530内的一或更多个操作可以在退火工艺控制流程550中的一或更多个操作之后发生。例如，掺杂剂工艺流程530和退火工艺控制流程550操作可根据期望的掺杂控制而互换。因此，在掺杂剂工艺流程530或退火工艺控制流程550中的一或更多个操作之后，方法500内的操作可在操作505返回到ALD工艺流程510。

再参照掺杂剂工艺流程530，图上显示掺杂剂工艺流程530包括点燃操作531、掺杂操作533、及清扫操作535。如上文参照ALD工艺流程510所述的，室内的压强可以介于约0.6托与约10托之间，且室内的温度可以介于约150℃至约550℃之间。对于方法500的示例性实施方案整体而言，所述室压强和温度可以是在所述反应室内基本上恒定或是在所述压强和温度的范围内。

点燃操作531包括一或更多种在以下所述流率或接近以下所述流率的气体：约1slpm至约20slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

掺杂操作533包括一或更多种在以下所述流率或接近以下所述流率的气体：约1slpm至约20slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

在清扫操作535中，残余的气体从反应室被去除。该些气体包括约1slpm至约20slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

图上显示退火工艺控制流程550包括点燃操作551、掺杂操作553、以及清扫操作555。如上关于ALD工艺流程510所述的，室内的压强可以介于约0.6托与约10托之间，且室内的温度可以介于约150℃至约550℃之间。对于方法500的示例性实施方案整体而言，所述室压强和温度可以是在所述反应室内基本上恒定或是在所述压强和温度的范围内。

点燃操作551包括一或更多种在以下所述流率或接近以下所述流率的气体：约1slpm至约20slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

掺杂操作553包括一或更多种在以下所述流率或接近以下所述流率的气体：约1slpm至约20slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

在清扫操作555中，残余的气体从反应室被去除。该些气体包括约1slpm至约20slpm的Ar、约0slpm至约30slpm的N

图6显示了用于低深宽比(低AR)特征且并入有掺杂剂工艺流程的ALD工艺流程的方法600的示例性实施方案。该方法600的示例性实施方案包括ALD工艺流程610和掺杂剂工艺流程630。取决于特定的操作(包括需要的膜厚度和特性、间隙填充能力、特征的深宽比、及本领域技术人员能理解的其他因素)，ALD工艺流程610可以重复1至5次或更多次(例如，n＝l至n≥5次循环)。在“n”个循环期间，可以根据需要将掺杂剂工艺流程630以部分或整体并入ALD工艺流程610和方法600。此外，如本领域技术人员能认识到的，所述用于方法600的这些气体、体积流率、压强、及温度是为了特定的示例性实施方案且可针对特定应用而改变。

现在参照ALD工艺流程610，在一特定的示例性实施方案中，在配料操作611中，硅烷前体气体被引进到反应器室中的衬底(例如，硅晶片)且包括一或更多种在以下所述流率或接近以下所述流率的气体：约10slpm的Ar和约10slpm的N

在清扫(purge)操作613期间，副产物和过量的反应物气体从反应室被去除。这些气体包括约10slpm的Ar、约10slpm的N

在氧化操作615中，以RF等离子体来氧化且清洁衬底的表面。氧化操作615包括一或更多种在以下所述体积流率或接近以下所述体积流率的气体：约l0 slpm的Ar、约l0slpm的N

在第二清扫操作617中，残余的氧化物从反应室被去除。这些气体包括约10slpm的Ar、约10slpm的N

可以针对给定工艺在ALD工艺流程610中的一和更多个适当点于操作601引进掺杂剂工艺流程630，并且掺杂剂工艺流程630可在操作603返回到ALD工艺流程610。图上显示掺杂剂工艺流程630包括点燃操作631、掺杂操作633、以及清扫操作635。在此特定的示例性实施方案中，室内的压强可以是约1托，且室内的温度可以是约550℃。此外，如本领域技术人员能认识到的，所述用于掺杂剂工艺流程630的列举的气体、体积流率、压强、以及温度是为了特定的示例性实施方案，并且可根据特定应用而改变。

持续参照掺杂剂工艺流程630，点燃操作631包括一或更多种在以下所述体积流率或接近以下所述体积流率的气体：约2slpm的Ar、约10slpm的N

掺杂操作633包括一或更多种在以下所述体积流率或接近以下所述体积流率的气体：约2slpm的Ar、约10slpm的N

在清扫操作635中，残余的气体从反应室被去除。这些气体包括约2slpm的Ar、约10slpm的N

现参照图7，显示了用于高深宽比(高AR)特征且并入有掺杂剂工艺流程的ALD工艺流程的方法700的示例性实施方案。该方法700的示例性实施方案包括ALD工艺流程710和掺杂剂工艺流程730。取决于特定的操作(包括需要的膜厚度和特性、间隙填充能力、特征的深宽比、及本领域技术人员能理解的其他因素)，ALD工艺流程710可以重复1至10次或更多次(例如，n＝l至n≥10次循环)。在“n”个循环期间，可以根据需要将掺杂剂工艺流程730以部分或整体并入ALD工艺流程710和方法700。此外，如本领域技术人员能认识到的，所述用于方法700的这些气体、体积流率、压强、及温度是为了特定的示例性实施方案且可针对特定应用而改变。

现在参照ALD工艺流程710，在一特定的示例性实施方案中，在配料操作711中，硅烷前体气体被引进到反应器室中的衬底(例如，硅晶片)且包括一或更多种在以下所述体积流率或接近以下所述体积流率的气体：约5slpm的Ar和约10slpm的N

在清扫(purge)操作713期间，副产物和过量的反应物气体从反应室被去除。这些气体包括约5slpm的Ar、约10slpm的N

在氧化操作715中，以RF等离子体来氧化且清洁衬底的表面。氧化操作715包括一或更多种在以下所述体积流率或接近以下所述体积流率的气体：约5slpm的Ar、约l0 slpm的N

在第二清扫操作717中，残余的氧化物从反应室被去除。这些气体包括约5slpm的Ar、约10slpm的N

可以针对给定工艺在ALD工艺流程710中的一和更多个适当点于操作701引进掺杂剂工艺流程730，并且掺杂剂工艺流程730可在操作703返回到ALD工艺流程710。图上显示掺杂剂工艺流程730包括点燃操作731、掺杂操作733、以及清扫操作735。在此特定的示例性实施方案中，室内的压强可以是约5托，且室内的温度可以是约400℃。此外，如本领域技术人员能认识到的，所述用于掺杂剂工艺流程730的列举的气体、体积流率、压强、以及温度是为了特定的示例性实施方案，并且可根据特定应用而改变。

持续参照掺杂剂工艺流程730，点燃操作731包括一或更多种在以下所述体积流率或接近以下所述体积流率的气体：约1slpm的Ar、约8slpm的N

掺杂操作733包括一或更多种在以下所述体积流率或接近以下所述体积流率的气体：约1slpm的Ar、约8slpm的N

在清扫操作735中，残余的气体从反应室被去除。这些气体包括约1slpm的Ar、约8slpm的N

所公开的主题的实施例

在第一实施例中，所公开的主题包括一种形成低介电常数(低-κ)膜的方法。所述方法包含：通过原子层沉积(ALD)技术来沉积膜沉积层；以氟来掺杂所沉积的所述膜层；通过原子层沉积技术来沉积后续膜沉积层；以及根据需要重复所述沉积操作和所述掺杂操作，以获得具有低介电常数的膜的最终膜厚度。

第二实施例包括第一实施例所述的方法，其中所形成的所述低-κ膜是硅衬底料。

第三实施例包括前述实施例中的任何一种，并且还包含选择硅烷前体。

第四实施例包括前述实施例中的任何一种，还其中所述低-κ膜包含从包括以下材料的材料中选择的至少一种材料：掺杂氟的硅氧化物(SiOF)、氟化碳氧硅(SiOCF)、以及氟化氮氧化硅(SiONF)。

第五实施例包括第四实施例，并且还包含：选择所述氟掺杂剂的密度使其在介于约1×10

第六实施例包括第四实施例和第五实施例中的任何一者，其中所述氟掺杂剂的所述密度的所述范围是在硅氧化物(SiO

第七实施例包括前述实施例中的任何一种，并且还还包含从包括氟掺杂水平与每个沉积层的沉积的膜厚度的变量中选择至少一个变量。

第八实施例包括第七实施例，并且还包含选择所述至少一个变量，使得由此形成的膜具有在介于约3.2与约3.4的范围内的低介电常数。

在第九实施例中，所公开的主题包括一种形成低介电常数(低-κ)膜的方法。所述方法包含：引进硅烷前体到反应室内；通过原子层沉积(ALD)工艺来沉积至少第一膜层；氧化且清洁所述第一膜层；以及以氟掺杂剂材料来掺杂所述第一膜层。

第十实施例包括第九实施例所述的方法，并且还包含根据需要重复所述沉积操作和所述掺杂操作，以获得具有低介电常数的膜的最终期望的膜厚度，其中所述低介电常数是在介于约3.2与约3.4之间的范围内。

第十一实施例包括前述实施例中的任何一种，并且还包含增加退火操作。

第十二实施例包括前述实施例中的任何一种，并且还包含至少部分地在高深宽比特征内形成所述膜，由此提供所述高深宽比特征的基本上无孔隙的间隙填充。

第十三实施例包括第十二实施例所述的方法，并且还包含选择所述氟掺杂剂材料的轮廓以在至少一个空间方向上具有渐变的轮廓。

第十四实施例包括第十三实施例，并且还包含选择所述氟掺杂剂材料的轮廓以在至少一个空间方向上具有渐变的轮廓。

在第十五实施例中，所公开的主题包括一种形成低介电常数(低-κ)硅氧化物(SiO

第十六实施例包括第十五实施例，并且还包含选择所述卤化物以包含选自包括碘和溴的材料中的至少一种材料。

在第十七实施例中，所公开的主题包括一种形成低介电常数(低-κ)膜的方法。所述方法包含：在逐层的膜沉积工艺中通过原子层沉积(ALD)技术来调节膜厚度；以掺杂剂材料来掺杂各个沉积的膜层，其中所述掺杂剂材料选自包含氟和卤化物的至少一种掺杂剂材料；通过原子层沉积(ALD)技术来沉积后续膜沉积层；以及根据需要重复所述些沉积操作和所述掺杂操作，以获得所述低-κ膜的最终膜厚度。

第十八实施例包括第十七实施例，并且还包含选择待沉积的介电材料的类型。

第十九实施例包括第十七实施例或第十八实施例中的任何一种，其中所述低-κ膜包含从包括以下材料的材料中选择的至少一种材料：掺杂氟的硅氧化物(SiOF)、氟化碳氧硅(SiOCF)、以及氟化氮氧化硅(SiONF)。

第二十实施例包括第十七实施例至第十九实施例中的任何一种，其中所述低-κ膜包含从包括以下材料的材料中选择的至少一种材料：氟化碳氧锗(GeOCF)和掺杂氟的锗氧化物(GeOF)材料。

在本说明书中，多个实例可以执行被描述成单一实例的部件、操作、化学品、或结构。尽管将一或更多个方法的单个的操作阐明成且描述成分离的操作，但是单个的操作中的一或更多个可以同时地被执行，并且不需要使这些操作如同所说明的顺序执行。作为在示例性配置中呈现成分离部件的结构和功能可以被执行成组合的结构或部件。相似地，呈现为单一部件的结构和功能可以被执行成分离的部件。这些和其他变化、变更、添加、以及改进均落在本文的主题的范围内。

在此将特定实施方案描述成包括逻辑或多个部件、模块、机构、或特定的化学品。在多种实施方案中，一或更多个计算机系统(例如，独立的计算机系统、客户端计算机系统、或服务器计算机系统)或计算机系统的一或更多个硬件模块(例如，处理器或一组处理器)可通过软件(例如，应用程序或应用程序部分)被设置成运作以执行在此所述的特定操作(例如，各种工艺配方)的硬件模块。

如在此所使用，术语“或”可以被解读成包含的或除外的意义。另外，本领域技术人员在阅读与理解所提供的公开内容后将可以知悉其他实施方案。此外，在阅读与理解所提供的公开内容后，本领域技术人员将可以轻易地理解的是，在此所提供的化学品、技术以及实施例的各种组合均可被应用在各种组合中。

尽管分离地讨论了多种实施方案，这些分离的实施方案不应被视为独立的技术或设计。如上所述，这些部分中的每一者可以是彼此相关的，且各自可以和其他所述操作或方法而分离地或组合地使用。例如，尽管已经描述了方法、操作、化学品以及工艺的各种实施方案，可以分离地使用或在各种实施方案中使用这些方法、操作、化学品以及工艺。

因此，可以进行许多变更和变化，这对于本领域技术人员在阅读与理解在此所提供的公开内容后将是明显的。落在公开内容的范围内的功能性等同方法和装置，除了在此已经列举者，对于本领域技术人员而言，根据前述说明是明显的。一些实施方案的部分和特征可以被包括在其他实施方案的部分和特征中，或将其取代。这样的变更和变化是落在随附的权利要求的范围内。所以，本公开内容仅受到随附的权利要求的术语限制，以及受到这样的权利要求的等同方案的全部范围限制。还应理解的是，在此使用的术语仅是为了用于描述特定的实施方案的目的，并未构成限制。

本公开内容的摘要是被提供以容许读者能快速地确定技术公开内容的本质。应理解摘要的提供并不会使摘要用来解读或限制权利要求。此外，在前述详细说明中，可观察到可以在单一实施方案中将各种特征或方法组合在一起以为了将本公开内容精简的目的。本公开内容的方法不应被解读成会对权利要求构成限制。因此，以下的权利要求是被并入详细说明，而各个权利要求本身是作为分离的实施方案。