首页> 中国专利> 能时间和/或空间上调制一或更多等离子体的衬底处理

能时间和/或空间上调制一或更多等离子体的衬底处理

页面导航

摘要

一种等离子体工具，在该等离子体工具中在处理室内用于处理衬底的两种或者更多种等离子体的生成在时间上、空间上或两者上调制。两种等离子体的调制用于在衬底上形成类金刚石碳(DLC)层。一等离子体用于形成非晶碳层，而第二等离子体用于经由离子轰击而将非晶碳层转变为DLC。

公开/公告号CN113474483A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-01

原文格式PDF
申请/专利权人朗姆研究公司;
展开▼

申请/专利号CN202080013381.0
发明设计人陈利;崎山行则;卡尔·弗雷德里克·利瑟;
展开▼

申请日2020-01-28
分类号C23C16/27(20060101);C23C16/56(20060101);C23C16/26(20060101);C23C16/52(20060101);C23C16/505(20060101);H01J37/32(20060101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人李献忠;张华
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 12:45:17

1. 能时间和/或空间上调制一或更多等离子体的衬底处理 [P] . 中国专利： CN113474483A . 2021-10-01
2. 对等离子体处理的离子偏置电压的空间和时间控制 [P] . 中国专利： CN111788655A . 2020-10-16
3. Ablating dielectric layer of semiconductor substrates by laser beam, comprises removing passivation layer on surface of semiconductor substrate using laser beam, and pre-treating substrate by spatially or temporally displaced laser beam [P] . 德国专利： DE102011102270A1 . 2012-11-29

机译：通过激光束烧蚀半导体衬底的介电层，包括：使用激光束去除半导体衬底的表面上的钝化层;以及通过在空间上或时间上移位的激光束对衬底进行预处理。
4. Plasma unit for controlling etching, sputtering off or structuring surfaces and/or generating of surface coatings; controls plasma intensity within given time over substrate and varies substrate voltage over given time [P] . 德国专利： DE19911046A1 . 2000-09-21

机译：等离子单元，用于控制蚀刻，溅射或结构化表面和/或生成表面涂层;在给定时间内控制衬底上的等离子体强度，并在给定时间内改变衬底电压
5. A substrate processing tool capable of temporally and/or spatially modulating one or more plasmas [P] . KR20210114072A . 2021-09-17

机译：一种能够在时间和/或空间调制一个或多个等离子体的基板处理工具