堆叠状的光子III-V族半导体器件

摘要

堆叠状的光子III‑V族半导体器件，其具有至少区域性地构造的第二金属连接接通层、第一导电类型的高掺杂的第一半导体接通区域、第一或第二导电类型的非常弱掺杂的吸收区域、至少区域性地构造的第一金属连接接通层，其中，该吸收区域具有20μm至2000μm的层厚度，第一半导体接通区域槽状地延伸到吸收区域中，第二金属连接接通层材料锁合地与第一半导体接通区域连接，并且第一金属连接接通层布置在吸收区域下方。此外，该堆叠状的光子III‑V族半导体器件具有第一或第二导电类型的掺杂的III‑V族半导体钝化层，其中，该III‑V族半导体钝化层以距第一半导体接通区域至少10μm的第一间距布置在吸收区域的上侧上。