堆叠状的III-V族半导体半成品和制造方法

摘要

一种堆叠状的III‑V族半导体半成品，所述堆叠状的III‑V族半导体半成品具有衬底、布置在所述衬底上的牺牲层区域、布置在所述牺牲层区域的表面上侧的半导体层区域，其中，所述衬底、所述牺牲层区域和所述半导体层区域分别包括来自III主族的至少一种化学元素和来自V主族的至少一种化学元素，并且所述牺牲层区域与所述衬底以及与所述半导体层在至少一种元素上不同，所述牺牲层区域的蚀刻速率与对于所述衬底的蚀刻速率以及与对于所述半导体层区域的蚀刻速率相差至少因子(10)，所述牺牲层区域与所述衬底以及与所述半导体层区域晶格匹配，所述牺牲层区域包括通过注入产生的至少部分非晶化的层。