公开/公告号CN113394281A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 上海新微半导体有限公司;
申请/专利号CN202110610203.2
发明设计人 刘胜北;
申请日2021-06-01
分类号H01L29/778(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人罗泳文
地址 200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
入库时间 2023-06-19 12:33:50
机译: Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
机译: 以及制造键合衬底GaN薄膜的方法,其制备方法和GaN基半导体器件
机译: 基于二氧化硅衬底的石墨烯透明导电膜的制备方法