一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构

摘要

本实用新型提供了一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构。该器件外延结构包括：Si衬底（1）、AlN成核层（2）、AlGaN过渡层（3‑5）、第一AlGaN缓冲层（6）、低温AlN插入层（7）、第二AlGaN缓冲层（8）、AlGaN/GaN超晶格层（9）、GaN沟道层（10）、AlGaN势垒功能层（11）、GaN帽层（12）。本实用新型制备的外延晶体质量高、沟道载流子限域性好、栅极漏电流小，制备的器件具有高击穿电压、高电流密度、低关态漏电、以及优良的夹断特性，且高温下性能退化小。本实用新型的基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构制造工艺简单，重复性好，适用于高压大功率电子器件等应用。