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具有电路部分和阵列部分的设备及其制备方法

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摘要

公开了一种嵌有PCM部分的CMOS逻辑部分，该CMOS逻辑部分被凹进以栅结构高度，以提供CMOS逻辑部分与PCM部分的平面度，所述栅结构高度与测量的栅氧化层和多晶硅栅的厚度一样。

著录项

公开/公告号CN101924118B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-03-06

原文格式PDF
申请/专利权人 M·马里亚尼;L·弗拉蒂;A·R·奥多里齐;M·马吉斯特雷蒂;
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申请/专利号CN200910221640.4
发明设计人 M·马里亚尼;L·弗拉蒂;A·R·奥多里齐;M·马吉斯特雷蒂;
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申请日2009-11-11
分类号H01L27/24(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/82(20060101);H01L21/28(20060101);G11C11/56(20060101);
代理机构11283 北京润平知识产权代理有限公司;
代理人周建秋;王凤桐
地址意大利米兰
入库时间 2022-08-23 09:13:24

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-05-20

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/24 变更前: 变更后: 登记生效日:20150428 申请日:20091111

专利申请权、专利权的转移
2015-05-20

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/24 变更前: 变更后: 登记生效日:20150428 申请日:20091111

专利申请权、专利权的转移
2013-03-06

授权

授权
2011-03-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/24 申请日:20091111

实质审查的生效
2010-12-22

公开

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