工艺自补偿CMOS电压基准源及其设计方法

摘要

本发明提供一种工艺自补偿CMOS电压基准源及其设计方法，包括分别计算MOS晶体管在无衬底偏置效应下和有衬底偏置效应下的阈值电压,将阈值电压在SS工艺角到FF工艺角的变化拟合为对应的线性方程；计算晶体管间产生的CTAT电压并将CTAT电压与由不同MOS晶体管的宽长比与热电压的乘积产生的PTAT电压相加得到一个与温度系数无关的电压；结合线性方程对得到的与温度系数无关的电压进行分析，实现对工艺偏差影响的消除。本发明提出一种工艺自补偿CMOS电压基准源及其设计方法，通过利用衬底偏置效应补偿工艺偏差技术，设计出不使用三极管的CMOS电压基准源，实现低电压低功耗工作。