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公开/公告号CN113241256A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 华南理工大学;
申请/专利号CN202110356882.5
发明设计人 王歆;钟煌;卢振亚;陈志武;李心宏;
申请日2021-04-01
分类号H01G4/005(20060101);H01G4/33(20060101);
代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人王东东
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2023-06-19 12:10:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-21
授权
发明专利权授予
机译: PZT PZT PZT基铁电薄膜的制备方法相同,PZT基铁电膜的制备方法相同
机译: 基于PZT的铁电薄膜形成组合物,其制备方法以及使用该组合物形成基于PZT的铁电薄膜的方法
机译:基于多层电极/聚合物/电极薄膜结构的有机半导体聚合物MEH-PPV中激发态增强塞贝克效应
机译:脉冲电压输入的影响和电极间距对浸没膜生物反应器的基于介电泳基的渗透磁体增强的渗透通量
机译:基于聚二胺凝集的碳纳米管的多层化学改性电极:一种新策略的电化学信号增强测定的儿茶酚
机译:一种基于介电基的波导,其集成在多层PCB的超高速通信中
机译:一种新的锡烷和一种新的基于自由基的杂环制备方法。
机译:外延PZT薄膜的静态本底介电常数值低
机译:PZT薄膜的结构,介电和铁电参数的优化PZT薄膜的结构,介电和铁电参数的优化
机译:陶瓷纤维增强玻璃 - 陶瓷基复合材料的制备方法