高度(100)取向PLT/PZT多层铁电薄膜的制备与性能研究

摘要

利用射频磁控溅射技术,以PbOx为过渡层,在Pt(111)/TiSiO2/Si(100)衬底上,采用原位溅射技术制备了高度(100)取向的[(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/Pb(Zr.20Ti0.80)O3]n(n=1,2){简记为[PLT/PZT]n}多层铁电薄膜,研究了层数对多层铁电薄膜介电性能和铁电性能的影响。研究得出,(100)取向的PbOx过渡层导致了[PLT/PZT]n多层铁电薄膜的(100)择优取向；高度(100)择优取向的[PLT/PZT]2薄膜具有更大的剩余极化(2Pr=31.45μC/cm)和更好的"蝴蝶"状C-V曲线.这些研究结果表明,所制备的(100)取向的[PLT/PZT]2多层铁电薄膜具有优良的铁电性能。