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王震东; 赖珍荃; 张景基;
南昌大学理学院,江西,南昌,330047;
南昌大学材料科学与工程系,江西,南昌,330047;
LaNiO3电极; PZT铁电薄膜; 射频溅射; 择优取向;
机译:射频磁控溅射在Si(100)衬底上生长的高c轴织构MgO缓冲层的制备和表征,用作铁电薄膜的生长模板
机译:直流反应磁控溅射生长的(200)择优取向TiN薄膜
机译:通过直流反应磁控溅射和高功率脉冲磁控溅射(Hipims),织地织地织地造成的ALN薄膜的生长沉积在Si(100)上沉积在Si(100)上
机译:铁电PZT薄膜的椭圆偏振光谱分析和纳米结构表征。
机译:溶胶-凝胶法制备的PZT / BFO多层薄膜的铁电性能
机译:PZT薄膜的结构,介电和铁电参数的优化PZT薄膜的结构,介电和铁电参数的优化
机译:用于低功率mEms的高纹理pZT薄膜的机械和铁电响应。
机译:用于形成基于PZT的铁电薄膜的组合物,其制造方法以及通过使用用于形成基于PZT的铁电薄膜的组合物来形成基于PZT的铁电薄膜的方法
机译:PZT PZT PZT基铁电薄膜的制备方法相同,PZT基铁电膜的制备方法相同
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