首页> 中国专利> 一种(100)择优取向的PMN-PZT/PZT异质结构薄膜的制备方法

一种(100)择优取向的PMN-PZT/PZT异质结构薄膜的制备方法

摘要

本发明公开一种(100)择优取向的PMN‑PZT/PZT异质结构薄膜的制备方法,属于压电薄膜材料制备领域。步骤包括:1)种子层制备。将钛酸四丁酯加入乙酰丙酮溶液,待混合液澄清后加入硝酸锆和乙酸铅,然后加入溶剂乙二醇甲醚,最后再加入甲酰胺作为稳定剂,制备种子层前驱体溶液,将种子层前驱体溶液沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上,经热处理后得到PZT种子层;2)通过射频磁控溅射在种子层上交替沉积PZT和PMN‑PZT,形成异质界面数量为奇数的PMN‑PZT/PZT异质结构薄膜。采用本发明方法能够制得(100)择优取向且电性能优异的PMN‑PZT/PZT异质结构薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN111081864A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN202010000374.9

  • 发明设计人 邹赫麟;王兴;

    申请日2020-01-02

  • 分类号H01L41/18(20060101);H01L41/37(20130101);C23C14/02(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/35(20060101);

  • 代理机构21200 大连理工大学专利中心;

  • 代理人隋秀文;温福雪

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2023-12-17 09:46:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L41/18 申请日:20200102

    实质审查的生效

  • 2020-04-28

    公开

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