介电膜的制造方法、半导体装置的制造方法以及介电膜

摘要

本发明提供具有高介电常数的介电膜的制造方法。本发明的实施方式是在基板上制造包括包含由Hf或Hf和Zr的混合物构成的元素A、由Al构成的元素B、以及N和O的金属氮氧化合物的介电膜的方法。所述制造方法包括以下步骤：形成具有非晶态结构的金属氮氧化合物，其中，所述金属氮氧化合物的元素A、元素B和N的表示为B/(A+B+N)的摩尔分数为0.015≤B/(A+B+N)≤0.095，元素A、元素B和N的表示为N/(A+B+N)的摩尔分数为0.045≤N/(A+B+N)，并且元素A和O的表示为O/A的摩尔分数为1.0＜O/A＜2.0；以及对具有非晶态结构的所述金属氮氧化合物进行700℃以上的退火处理，从而形成包括立方晶体混入百分比为80％以上的晶相的金属氮氧化合物。